我厂二期热钾碱法脱碳系统的吸收再生塔均采用陶瓷波纹板,陶瓷波纹板中厂颈02的含量一般为60-75,这些陶瓷波纹板中的厂颈4皑在热的碍颁翱溶掖中能被沥取出来,而沥取出来的厂颈02滨驳颁翱蝉溶液中,生成偏硅酸钾(碍声颈09),偏硅酸钾能以两种方式沉淀,在碳钢表面形成了一层惰性、稠密、坚韧的二氧化硅膜,以隔离碳钢表面和溶液的接触,达到缓蚀目的。
K2Si0:水解生成偏硅酸,HZSiO。在溶液中是以胶体状态存在的,当溶液pH值高时,它以溶解状态存在,当pH值降低时,溶解状态转变为凝胶状态,这些凝胶状态的HaSiOa,可以脱水而生成SiOz,沉积在碳钢表面形成硅膜,这种脱水生成的Si0:则不能再溶解于溶液中。其反应式如下所示:
从陶瓷波纹板中沥取出的SiO},所生成的K$Si0。浓度大于溶液中KESiO。的最大溶解度,则溶液内将有凝胶状态的硅胶沉淀析出,并沉积在碳钢表面形成硅膜。在我们认为这层硅膜的存在。是使得我厂二期脱碳系统在五价钒长期为零的状态下,而没有发生腐蚀的真正原因。KQSiOa浓度,基本于表6中所要求的维持溶液缓腐能力的;含量相当,但比文献ICI的推荐值稍高。所以我厂二期热钾碱法脱碳溶液中沥取出的硅能满足缓腐需要而不需外加硅油。从以上分析,我们认为在以陶瓷波纹板的热钾碱法脱碳系统中,可以不外加缓蚀剂KYO$,在还原性介质中含量比较高的条件下,添加钒对溶液不起缓蚀作用,只能增加钒的消耗。在以陶瓷波纹板的热钾减法脱碳系统中,溶液从殉瓷填料中沥取出的SiOQ量,能满足溶液缓蚀所需SiOz量,不需外加硅油,当气体中含有HQS时,也不能使硅膜破坏,却有与之生成硫硅防腐膜的可能。/
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